IPB160N04S2L03ATMA1
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPB160N04S2L03ATMA1 |
---|---|
Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7 |
Datenblätte: |
|
RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
Online -RFQ -Einreichungen: Schnelle Antworten, bessere Preise!
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
VGS (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO263-7-3 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.7mOhm @ 80A, 10V |
Verlustleistung (max) | 300W (Tc) |
Verpackung / Gehäuse | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
---|---|
Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 6000 pF @ 15 V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 230 nC @ 5 V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 40 V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 160A (Tc) |
Grundproduktnummer | IPB160N |
IPB160N04S2L03ATMA1 Einzelheiten PDF [English] | IPB160N04S2L03ATMA1 PDF - EN.pdf |
INFINEON TO-263
IPB15N03LA INFINEON
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
INFINEON TO-263-7
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S3-H2 Infineon Technologies
IPB160N04S4L-H1 INFINEON
IPB160N04S4-02D INFINEON
IPB160N04S2L-03 Original
INFINEON TO-263
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB15N60 INFINEON
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB160N04S4-H1 INF
MOSFET N-CH 40V 160A TO263-7
IPB15N03LT INFINEON
IPB160N04S2-03 Original
INFINEO TO-263
N-CHANNEL POWER MOSFET
2024/01/25
2024/04/5
2023/12/20
2024/01/23
IPB160N04S2L03ATMA1Infineon Technologies |
Anzahl*
|
Zielpreis (USD)
|